类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

越来越多的功能

引脚数

触点形状

外壳材料

供应商器件包装

材料

房屋材料

插入材料

终端数量

执行器材料

晶体管元件材料

厂商

Voltage Rating AC

操作温度

包装

系列

尺寸/尺寸

容差

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

温度系数

连接器类型

类型

电阻

定位的数量

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

组成

行数

功率(瓦特)

附加功能

紧固类型

子类别

触点类型

最大功率耗散

技术

端子位置

方向

终端形式

屏蔽/屏蔽

峰值回流焊温度(摄氏度)

入口保护

Reach合规守则

额定电流

外壳完成

引脚数量

外壳尺寸-插入

触点表面处理

终端样式

JESD-30代码

资历状况

执行器类型

房屋颜色

电路

失败率

开关功能

面板开孔尺寸

配置

注意

照明电压(标称)

照明类型,颜色

端口的数量

操作模式

功率耗散

外壳尺寸,MIL

照明

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

套管螺纹

产品类别

连续放电电流(ID)

定位/联系数

包括

栅极至源极电压(Vgs)

发光二极管的颜色

接片方向

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

筛选水平

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

输入电容

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

最大rds

产品

特征

产品类别

产品长度(mm)

座位高度(最大)

触点表面处理厚度

执行器长度

产品高度(mm)

材料可燃性等级

辐射硬化

评级结果

PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE/S500Z
NXP 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

恩智浦半导体

Bulk

活跃

*

FDSS2407
FDSS2407
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8-SOIC

Fairchild Semiconductor

Bulk

3.3A

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

2.27W

2 N-Channel (Dual)

110mOhm @ 3.3A, 10V

3V @ 250µA

300pF @ 15V

4.3nC @ 5V

62V

逻辑电平门

RF1S30P06
RF1S30P06
Renesas 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

PEI-Genesis

Bulk

活跃

*

RJK03P7DPA-00#J5A
RJK03P7DPA-00#J5A
Renesas 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-WFDFN Exposed Pad

8-WPAK

Renesas Electronics America Inc

Bulk

15A, 30A

Obsolete

150°C (TJ)

-

10W, 20W

2 N-Channel (Half Bridge)

9.4mOhm @ 7.5A, 10V

-

1190pF @ 10V

7.1nC @ 4.5V

30V

Logic Level Gate, 4.5V Drive

DMN62D0UV-13
DMN62D0UV-13
Diodes 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOT-563, SOT-666

SOT-563

Diodes Incorporated

Tape & Reel (TR)

DMN62

490mA (Ta)

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Automotive, AEC-Q101

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Dual)

470mW (Ta)

2Ohm @ 100mA, 4.5V

1V @ 250µA

32pF @ 30V

0.5nC @ 4.5V

60V

Standard

PMT280ENEA,115
PMT280ENEA,115
Nexperia 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

QFN

Nexperia USA Inc.

5(mm)

-40C to 85C

表面贴装

Bulk

活跃

Industrial grade

Bulk

*

4

Industrial

7(mm)

0.9(mm)

APTM100DU18TG
APTM100DU18TG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

Nickel Plated Brass with Thermoplastic Elastomer (TPE) Tubular Sealing Insert

12

SILICON

MICROSEMI CORP

5.6

43 A

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

未说明

150 °C

有

APTM100DU18TG

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

2

Obsolete

e1

锡银铜

雪崩 额定

FET 通用电源

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

12

R-XUFM-X12

不合格

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

增强型MOSFET

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

43 A

0.21 Ω

172 A

1000 V

3000 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

780 W

MAX8555ETB T
MAX8555ETB T
Maxim 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1206 (3216 Metric)

1206

KOA Speer Electronics, Inc.

Tape & Reel (TR)

活跃

-55°C ~ 155°C

SG73S-RT

0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

±1%

2

±200ppm/°C

19.6 Ohms

厚膜

0.333W, 1/3W

-

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

0.028 (0.70mm)

-

FDMS3604AS
FDMS3604AS
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

面板安装

8-PowerTDFN

Flange

Circular

Aluminum

8-PQFN (5x6)

-

Amphenol Aerospace Operations

Bulk

D38999/20ZG

22D

活跃

13A, 23A

-65°C ~ 175°C

Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

插座外壳

用于公引脚

79

Threaded

Crimp

D

Shielded

抗环境干扰

锌 镍

21-35

Black

不包括触点

G

1W

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

8mOhm @ 13A, 10V

2.7V @ 250µA

1695pF @ 15V

29nC @ 10V

30V

-

逻辑电平门

-

-

IRFU024ATU
IRFU024ATU
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Finisar Corporation

Box

活跃

-

DMN63D8LDW-13-52
DMN63D8LDW-13-52
Diodes 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SOT-363

Diodes Incorporated

Bulk

DMN63

220mA (Ta)

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel

300mW (Ta)

2.8Ohm @ 250mA, 10V

1.5V @ 250µA

22pF @ 25V

0.87nC @ 10V

30V

Standard

APTC60AM42F2G
APTC60AM42F2G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Chassis Mount, Screw

2

ABB

240 ns

Compliant

2

ACH580-BCR-099A-6+E213+K452

150 °C

-40 °C

416 W

416 W

21 ns

30 ns

600 V

66 A

20 V

14.6 nF

42 mΩ

无

RF1S25N06SMR4643
RF1S25N06SMR4643
Renesas 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

PEI-Genesis

Bulk

活跃

*

RF1S15N06
RF1S15N06
Renesas 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

0402 (1005 Metric)

0402

KOA Speer Electronics, Inc.

Tape & Reel (TR)

活跃

-55°C ~ 155°C

SG73S-RT

0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

±0.5%

2

±200ppm/°C

4.75 kOhms

厚膜

0.125W, 1/8W

-

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

0.016 (0.40mm)

-

RF1S30P05
RF1S30P05
Renesas 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Kamaya Inc.

Tape & Reel (TR)

活跃

*

SK3065
SK3065
Renesas 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

面板安装

Flange

Circular

Aluminum

--

8 Twinax

--

-65°C ~ 175°C

Bulk

Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

活跃

--

插座外壳

用于内螺纹插座

8 (Coax, Twinax)

Threaded

Crimp

N (Normal)

Shielded

抗环境干扰

Cadmium

25-8

橄榄色

不包括触点

J

--

--

--

IRF40H233ATMA1
IRF40H233ATMA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-PowerVDFN

PG-TDSON-8-4

Infineon Technologies

Obsolete

65A (Tc)

IRF40

Tape & Reel (TR)

-55°C ~ 175°C (TJ)

StrongIRFET™

3.8W (Ta), 50W (Tc)

2 N-Channel (Dual)

6.2mOhm @ 35A, 10V

3.9V @ 50µA

2200pF @ 20V

57nC @ 10V

40V

Standard

APTM50HM75FTG
APTM50HM75FTG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

SP4

微芯片技术

活跃

46

Bulk

APTM50

46A

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

4 N-Channel (Half Bridge)

357W

90mOhm @ 23A, 10V

5V @ 2.5mA

5600pF @ 25V

123nC @ 10V

500V

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

APTM20AM08FTG
APTM20AM08FTG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

SP4

微芯片技术

活跃

208

Bulk

APTM20

208A

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Half Bridge)

781W

10mOhm @ 104A, 10V

5V @ 5mA

14400pF @ 25V

280nC @ 10V

200V

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

APTM50DDAM65T3G
APTM50DDAM65T3G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3

SP3

微芯片技术

51

Bulk

APTM50

51A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Dual)

390W

78mOhm @ 25.5A, 10V

5V @ 2.5mA

7000pF @ 25V

140nC @ 10V

500V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

APTM120H140FT1G
APTM120H140FT1G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

面板安装

SP1

SP1

Brass, Nickel Plated

Microchip

微芯片技术

Details

微芯片技术

50,000 Cycles

30V

8

Bulk

APTM120

8A

活跃

+ 150 C

- 30 V, + 30 V

- 40 C

1

125V

螺钉安装

-40°C ~ 85°C

Bulk

5000

活跃

全桥

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

--

6A (AC), 4A (DC)

焊片

锁定杆

单刀双掷

On-On

Circular - 6.50mm Dia

4 N-Channel (Half Bridge)

--

--

208

Non-Illuminated

208W

1.68Ohm @ 7A, 10V

5V @ 1mA

3812pF @ 25V

145nC @ 10V

1200V (1.2kV)

1/4-40

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

功率MOSFET模块

哑光黑色表面

Discrete Semiconductor Modules

14.75mm

APTM50AM38STG
APTM50AM38STG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP4

SP4

Polybutylene Terephthalate (PBT), Polyester

微芯片技术

磷青铜

90

Bulk

APTM50

90A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

-40°C ~ 85°C

Tray

--

Obsolete

Solder

Jack

1

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

90° Angle (Right)

Unshielded

--

Gold

2 N-Channel (Half Bridge)

1

694W

45mOhm @ 45A, 10V

5V @ 5mA

11200pF @ 25V

246nC @ 10V

500V

Discrete Semiconductor Modules

4p4c (RJ9, RJ10, RJ22)

不含LED

Down

Dual N

-

板锁

Discrete Semiconductor Modules

50.0µin (1.27µm)

Cat3

APTSM120AM14CD3AG
APTSM120AM14CD3AG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

PDG34NH250P2WL

CE, CSA, UL

Cutler Hammer, Div of Eaton Corp

Panel

,

Obsolete

MICROSEMI CORP

5.84

compliant

250 A

APTM50AM17FG
APTM50AM17FG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

微芯片技术

180

Bulk

APTM50

180A

活跃

1

Microchip

微芯片技术

Details

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Discrete Semiconductor Modules

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel (Half Bridge)

1250W

20mOhm @ 90A, 10V

5V @ 10mA

28000pF @ 25V

560nC @ 10V

500V

Discrete Semiconductor Modules

Dual N

-

Discrete Semiconductor Modules

AP3003
AP3003
Diodes 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1